为不同半导体工艺节点选择Infratec设备，关键在于匹配缺陷的物理尺度、热信号强度以及分析的深度要求。下面这个表格汇总了针对不同工艺节点的核心考量与推荐型号，你可以快速了解其对应关系。
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工艺节点范围 |
核心挑战与缺陷类型 |
推荐Infratec型号/技术 |
关键技术原理与选型依据 |
典型应用场景 |
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≥28nm 成熟制程 |
缺陷尺寸相对较大，热信号较强。 |
VarioCAM® hr 系列 |
高性价比的非制冷红外热像仪，热灵敏度可达0.035℃。足以检测由焊接空洞、导线断裂等引起的明显热点。 |
IC封装层级的质量控制、PCB板级故障定位、功率器件散热分析。 |
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28nm - 5nm 先进制程 |
纳米级缺陷（如栅极漏电）、微弱的热信号。 |
ImageIR 系列 (锁相热成像 LIT) |
采用锁相热成像技术，通过周期性激励和相敏检测，从强噪声中提取微弱的热信号，灵敏度可达0.001℃级。 |
精准定位芯片内部纳米级的短路、漏电点，以及3D堆叠芯片的层间热阻分析。 |
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≤5nm 尖端制程 (如3nm, 2nm)及第三代半导体 |
原子级缺陷，极其微弱的热/光发射信号。 |
高端热成像显微镜 (如ImageIR 9500) 结合 Thermal EMMI 技术 |
集成了高灵敏度制冷型探测器（如MCT），结合光发射显微镜和热发射显微镜，可同时捕捉缺陷点的微光发射和热信号，实现超高精度定位。 |
第三代半导体（GaN, SiC）器件的材料缺陷分析、FinFET/GAA晶体管架构的失效分析、超低电压下的泄漏电流检测。 |
※ 关键选型因素深度解析
在实际选型时，除了工艺节点，还需综合评估以下几方面：
1. 热灵敏度与信噪比
工艺节点越先进，晶体管的工作电压越低，泄漏电流等产生的热信号越微弱。锁相热成像技术能通过相位敏感检测有效抑制背景噪声，是检测亚微米级缺陷的关键。对于5nm及以下节点，必须选择配备高性能制冷型探测器和锁相放大功能的系统。
2. 空间分辨率与放大光学
需要确保热像仪的空间分辨率足以分辨单个晶体管或微小缺陷的热点。对于纳米级结构，Infratec的高端型号会配备高数值孔径的显微红外物镜，有些还支持微扫模式，可将有效像素提升至2560x1440级别，以满足高分辨率成像需求。
3. 分析功能与深度剖析能力
৹ 动态分析：高帧频的红外热像仪能够捕捉芯片在启动、运行不同任务时纳秒级的热变化过程，对于分析动态功耗和瞬时热点至关重要。
৹ 深度分析：锁相热成像的另一个强大功能是深度剖析。通过调节激励信号的频率，低频热波可以穿透到芯片更深层，从而对3D堆叠封装的不同芯片层或晶圆的亚表面缺陷进行分层扫描和定位。
4. 样品适配性与无损要求
确认设备是否支持你所需检测的样品尺寸和封装形式。Infratec的热成像系统通常具备非接触、无损检测的优势，这在整个失效分析流程中非常重要，能够在进行物理剖片前快速锁定故障区域。
※ 总结与建议
选择Infratec设备时，工艺节点是最重要的初始判断依据，但最终决策应基于你对缺陷检测灵敏度、空间分辨率、分析深度以及特定应用场景的综合需求。
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