专为高通量 3D 分析和样品制备量身打造的 FIB-SEM
蔡司 Crossbeam 将场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）镜筒的强大成像和分析性能与新一代聚焦离子束（FIB）的优异加工能力相结合。无论是切割、成像或进行 3D 分析，Crossbeam 系列都能极大地提升您的应用体验。使用 Gemini 电子光学系统，您可以从扫描电子显微镜（SEM）图像中获取真实的样品信息。Ion-sculptor FIB 镜筒引入了全新的 FIB 加工方法，能够减少样品损伤，提升样品质量，从而加快实验进程。
无论用于科研机构还是工业实验室，单用户实验室或多用户实验平台，如果您想获得高质量，高影响力的实验结果，蔡司 Crossbeam 的模块化平台设计可让您根据自身需求的变化，随时对仪器系统进行升级。
技术参数：
|
|
蔡司 Crossbeam 350 |
蔡司 Crossbeam 550 |
|
扫描电子显微镜（SEM） |
Gemini I 镜筒 |
Gemini II 镜筒 |
|
可变气压选项 |
可选 Tandem decel |
|
|
电子束流：5 pA – 100 nA |
电子束流：10 pA – 100 nA |
|
|
聚焦离子束 |
分辨率：3 nm @ 30 kV（统计方法） |
分辨率：3 nm @ 30 kV（统计方法） |
|
分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA（可选） |
分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA |
|
|
探测器 |
Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可变压力二次电子探测器）、SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、aBSD（背散射探测器） |
Inlens SE、Inlens EsB、ETD（Everhard-Thornley 探测器）、SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、aBSD（背散射探测器）和 CL（阴极荧光探测器） |
|
样品仓规格和端口 |
标准样品仓配有 18 个可配置接口 |
标准样品仓配有 18 个可配置接口 / 大样品仓配有 22 个可配置接口 |
|
载物台 |
X /Y = 100 mm |
X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm |
|
Z = 50 mm，Z' = 13 mm |
Z = 50 mm，Z' = 13 mm / Z = 50 mm，Z' = 20 mm |
|
|
T = -4° 至 70°，R = 360° |
T = -4° 至 70°，R = 360° / T = -15° 至 70°，R = 360° |
|
|
电荷控制 |
电子束流枪 |
电子束流枪 |
|
局部电荷中和器 |
局部电荷中和器 |
|
|
可变压力 |
- |
|
|
气体 |
单通道气体注入系统：Pt、C、SiOx、W、H2O |
单通道气体注入系统：Pt、C、SiOx、W、H2O |
|
多通道气体注入系统：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2 |
多通道气体注入系统：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2 |
|
|
存储分辨率 |
32 k × 24 k（使用选配的 ATLAS 5 3D 断层扫描模块，可高达 50 k × 40 k） |
32 k × 24 k（使用选配的 ATLAS 5 3D 断层扫描模块，可高达 50 k × 40 k） |
|
可选分析附件 |
EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要还可提供其它选件 |
EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要还可提供其它选件 |
|
优势 |
因采用可变压力模式及广泛的原位实验，可大幅扩大样品兼容性。 |
以高通量完成分析与成像，且在各种条件下皆可获得高分辨率。 |
