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RIE-800iP是一种高性能ICP(电感耦合等离子体)蚀刻系统，它使用高密度等离子体来执行光电器件和电子元件所需的化合物半导体或介电膜蚀刻.
独特的HSTC™线圈可产生均匀的高密度等离子体。最大功率为1kw(可选3kw)，适用于ICP和Bias的射频等离子体源，用于高速蚀刻。大电导允许在低压环境下高气体流量。
电机驱动平台可以优化晶圆和等离子体之间的距离，以实现高均匀性。
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系统配置 ● 配备先进的ICP源：HSTC™(Hyper Symmetrical Tornado Coil)
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尺寸
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SiC trench MOSFET |
GaAs VCSEL |
Metal etching |
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设备参数
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常务需求
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