Beneq TFS 200 专为学术和企业研发而设计，是一款用途广泛的原子层沉积 （ALD） 平台，可在真正的 ALD 模式下提供卓越的薄膜质量。
该系统的模块化架构允许进行广泛的升级，确保它可以随着您的研究需求而发展，无论多么复杂。 Beneq TFS 200 支持在各种基板上沉积，包括晶圆、平面物体、多孔材料和具有高深宽比 （HAR） 功能的复杂 3D 结构，即使在最苛刻的应用中也能实现精确镀膜。
先进的 PEALD 功能
Beneq TFS 200 标配直接和远程等离子体增强原子层沉积 （PEALD）。利用电容耦合等离子体 （CCP） 源（行业标准），它有助于从研发到生产环境的平稳过渡。该系统支持在最大 200 mm 的基板上进行 PEALD 工艺。
针对效率和精度进行了优化
• 纯 ALD 模式经过优化，可实现快速、精确的薄膜生长
• HAR 功能适用于具有挑战性的结构，例如通孔和多孔衬底
• 冷壁真空室内的热壁反应室，可实现均匀的热量分布和快速的腔室更换
• 全面的升级选项，满足高级研究需求
• 装载锁、盒式装载机和手套箱，用于在受控气氛下快速传输基板
技术信息：
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产品 |
TFS 200型 |
TFS 500型 |
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尺 寸： |
1325毫米 x 600毫米 x 1298毫米（L*W*H） |
1800毫米 x 900毫米 x 2033毫米（L*W*H） |
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用 法： |
研究、生产 |
研究、生产 |
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集 成： |
装载锁、盒式装载机、集群或手套箱 |
装载锁、盒式装载机、集群或手套箱 |
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温度范围： |
25-500 °C |
25 – 500 °C |
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极低蒸气 压前驱体: |
是的 |
是的 |
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ALD 模式: |
热原子层沉积、低流 HAR、流化床、远程等离子体 ALD、直接等离子体原子层沉积 |
热 ALD、远程等离子体 ALD、直接等离子体 ALD |
示例应用：
• 用于阻挡应用的 Al2 O3 ALD
• 半导体应用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD
• 用于光伏电池的 SnO2 ALD
• 用于超导体应用的 TiN 和 NbN ALD模块
