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特色
高性能电子光学系统
● 二次电子分辨率: 顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)＊
● 高灵敏度: 高效PD-BSD, 超强的低加速电压性能，低至100 V成像
● 大束流(>200 nA): 便于高效微区分析
性能优异
● 压力可变: 具有优异的低真空(10 -300 Pa)成像性能，配备高灵敏度低真空探测器(UVD)＊
● 开仓室快速简单换样(最大样品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
● 微区分析: EDS, WDS, EBSD等等
*： 选配附件
规格
项目 内容 分辨率 1.2 nm @ 30 kV
3.0 nm @ 1 kV
2.0 nm @ 1 kV 减速模式*1
3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2放大倍率 10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)
30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)电子光学系统 电子枪 ZrO /W 肖特基式电子枪 加速电压 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进) 着陆电压 减速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1 最大束流 > 200 nA 探测器 低位二次电子探测器 低真空模式*2 真空范围: 10 - 300 Pa 马达台 马达台控制 5 - 轴自动 (优中心) 可动范围 X：0～100mm
Y：0～50mm
Z：3～65mm
T：-20～90°
R：360°最大样品尺寸 最大直径: 200 mm
最大高度: 80 mm选配探测器 - ○ 高分辨率顶位二次电子探测器＊1
- ○ 高灵敏度低真空探测器 (UVD)
- ○ 5分割半导体探测器 (PD-BSD)*3
- ○ 能谱仪 (EDS)
- ○ 波谱仪 (WDS)
- ○ 背散射电子衍射探测器 (EBSD)
*1： 减速功能（包含高分辨率顶位二次电子探测器）
*2： 低真空功能（包含5分割半导体探测器）
*3： 空压机(本地采购)
应用案例
样品: 氧化锌粉末
着陆电压: 1 kV ; 倍率: 120,000x
低电压下顶位二次电子探测器成像
样品: PTFE
加速电压: 3 kV ; 倍率: 13,000x
UVD探测器可在低加速电压(3 kV)和低真空
(40 Pa) 下获得高质量图像
